• 24.7nC(x)
• 24nC(x)
• 25nC(x)
• 73.3nC(x)
• 113.3nC(x)
• 151nC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(5)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(5)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (5)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(1)

THT(5)

Technologia

HEXFET®(5)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

50W(1)

79W(1)

150W(1)

160W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

21nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

24nC(1)

25nC(1)

26nC(1)

28nC(1)

29nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

38nC(3)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

61nC(1)

63nC(2)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(4)

72nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

140nC(1)

146nC(1)

150nC(2)

151nC(1)

160nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

180nC(2)

210nC(3)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(5)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

3Ω(1)

4.8mΩ(1)

8mΩ(1)

36mΩ(1)

50/100mΩ(1)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

55V(1)

100V(2)

150V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

1.6A(1)

4/-3A(1)

17A(1)

42A(1)

98A(1)

171A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

8ns(1)

9.2ns(1)

11ns(1)

14ns(1)

27ns(1)

Czas narastania

8.6ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

56ns(1)

100ns(1)

119ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

33ns(1)

35ns(1)

43ns(1)

45ns(1)

47ns(1)

Czas zanikania

7.7ns/18ns(N/P)(1)

16ns(1)

25ns(1)

40ns(1)

70ns(1)

84ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(6)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(3)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(6)

Price

-