• 24.7nC(x)
• 24nC(x)
• 38.7nC(x)
• 44nC(x)
• 66nC(x)
• 170nC(x)
• 210nC(x)
• ±20V(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(6)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(4)

VISHAY(6)

Typ tranzystora

N-MOSFET (6)

P-MOSFET (4)

Montaż

THT(10)

Technologia

HEXFET®(4)

Moc rozpraszana (W)

50W(1)

79W(2)

110W(1)

125W(1)

180W(1)

200W(1)

280W(2)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

24nC(1)

25nC(1)

26nC(1)

29nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

38nC(2)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

61nC(1)

63nC(2)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(3)

72nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

140nC(1)

146nC(1)

150nC(2)

160nC(2)

170nC(1)

180nC(2)

210nC(3)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(10)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.5Ω(2)

0.27Ω(1)

0.29Ω(2)

0.75Ω(1)

3Ω(1)

5.3mΩ(1)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

-150V(1)

-200V(2)

55V(1)

100V(1)

250V(1)

400V(1)

500V(2)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-13A(1)

-14A(1)

1.6A(1)

13A(1)

14A(1)

17A(1)

24A(1)

133A(1)

Czas załączania

8ns(1)

9.2ns(1)

13ns(1)

14ns(3)

15ns(1)

18ns(2)

22ns(1)

Czas narastania

8.6ns(1)

22ns(1)

36ns(1)

43ns(2)

58ns(1)

59ns(1)

79ns(1)

99ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

33ns(1)

35ns(1)

39ns(2)

45ns(1)

53ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

Czas zanikania

16ns(1)

25ns(1)

37ns(1)

38ns(2)

46ns(1)

58ns(1)

67ns(1)

92ns(1)

110ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

TO220AB(6)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Price

-