• 24.7nC(x)
• 66nC(x)
• 70nC(x)
• 86.6nC(x)
• 110nC(x)
• 113.3nC(x)
• 133.3nC(x)
• ±20V(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(10)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(9)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (10)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(1)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

79W(1)

110W(1)

125W(1)

130W(1)

150W(2)

160W(2)

170W(2)

200W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

24nC(1)

25nC(1)

26nC(1)

29nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

38nC(2)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

61nC(1)

63nC(2)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(3)

72nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

140nC(1)

146nC(1)

150nC(2)

160nC(2)

170nC(1)

180nC(2)

210nC(3)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(11)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.18Ω(3)

0.29Ω(1)

8mΩ(1)

12mΩ(2)

36mΩ(2)

42mΩ(1)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-150V(1)

55V(1)

60V(2)

100V(3)

150V(1)

200V(3)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-13A(1)

11A(2)

17A(1)

30A(2)

42A(1)

81A(2)

98A(1)

Czas załączania

9.2ns(1)

11ns(2)

12ns(2)

14ns(5)

16ns(1)

Czas narastania

22ns(1)

36ns(1)

51ns(3)

55ns(1)

56ns(2)

78ns(1)

100ns(1)

140ns(1)

Czas wyłączania

35ns(1)

43ns(1)

45ns(5)

48ns(1)

53ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

Czas zanikania

25ns(1)

36ns(3)

37ns(1)

40ns(2)

53ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

120ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(11)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(6)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Price

-