• 15ns(x)
• 16ns(x)
• 35ns(x)
• 43ns(x)
• 59ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(5)

VISHAY(5)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

P-MOSFET (2)

Montaż

THT(10)

Technologia

HEXFET®(5)

Moc rozpraszana (W)

74W(2)

125W(1)

140W(1)

150W(1)

180W(1)

200W(1)

214W(1)

280W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

38nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

66.7nC(1)

123nC(2)

180nC(1)

210nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(10)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.5Ω(2)

0.27Ω(1)

1.5Ω(2)

8mΩ(1)

25mΩ(1)

44mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-200V(2)

100V(2)

200V(2)

300V(1)

500V(3)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

2.9A(2)

13A(1)

30A(2)

33A(1)

57A(1)

70A(1)

Czas załączania

8.2ns(1)

10ns(1)

11ns(1)

14ns(5)

18ns(1)

24ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

8.6ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

19ns(2)

20ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

23ns(1)

27ns(3)

34ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

43ns(4)

44ns(1)

47ns(1)

51ns(3)

55ns(3)

56ns(3)

58ns(2)

59ns(2)

60.5ns(1)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(2)

66ns(1)

67ns(3)

73ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

86ns(1)

99ns(3)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

38ns(1)

39ns(3)

41ns(2)

42ns(1)

58ns(1)

62ns(1)

110ns(1)

Czas zanikania

14ns(1)

16ns(1)

33ns(2)

35ns(1)

38ns(2)

45ns(1)

48ns(1)

58ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

TO220AB(4)

TO247AC(5)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Price

-