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• 22ns(x)
• 35ns(x)
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Kategorie

MOSFET z kanałem N(10)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory z kanałem N THT(10)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(11)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (10)

P-MOSFET (4)

Montaż

THT(14)

Technologia

HEXFET®(11)

Moc rozpraszana (W)

74W(1)

79W(1)

110W(1)

125W(1)

140W(1)

150W(1)

170W(1)

180W(1)

200W(3)

214W(1)

330W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

24.7nC(1)

38nC(1)

44nC(2)

47.3nC(1)

66nC(1)

86.6nC(1)

120nC(1)

123nC(2)

160nC(2)

170nC(1)

180nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(14)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.5Ω(2)

0.29Ω(1)

1.5Ω(1)

4mΩ(1)

5.3mΩ(1)

7.8mΩ(1)

8mΩ(1)

12mΩ(1)

44mΩ(1)

60mΩ(1)

75mΩ(2)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

-150V(1)

-200V(2)

40V(1)

55V(1)

60V(1)

75V(1)

100V(2)

200V(2)

300V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-13A(1)

-40A(1)

2.9A(1)

17A(1)

30A(2)

33A(1)

70A(1)

81A(1)

130A(1)

133A(1)

162A(1)

Czas załączania

8.2ns(1)

9.2ns(1)

11ns(2)

12ns(1)

13ns(1)

14ns(5)

17ns(2)

24ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

8.6ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

19ns(2)

20ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

23ns(1)

27ns(3)

34ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

43ns(4)

44ns(1)

47ns(1)

51ns(3)

55ns(3)

56ns(3)

58ns(2)

59ns(2)

60.5ns(1)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(2)

66ns(1)

67ns(3)

73ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

86ns(1)

99ns(3)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

35ns(1)

39ns(3)

41ns(2)

42ns(1)

46ns(1)

48ns(1)

53ns(1)

62ns(1)

79ns(1)

130ns(1)

150ns(1)

Czas zanikania

16ns(1)

25ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

37ns(1)

38ns(2)

45ns(1)

53ns(1)

81ns(1)

110ns(1)

140ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(14)

Obudowa

TO220AB(10)

TO247AC(3)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(14)

Price

-