• 19ns(x)
• 27ns(x)
• 42ns(x)
• 49ns(x)
• 71ns(x)
• 79ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(6)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(6)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (6)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(2)

THT(5)

Technologia

HEXFET®(6)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(1)

74W(1)

82W(1)

200W(4)

Ładunek bramki

21nC(1)

23.3nC(1)

38nC(1)

106.7nC(2)

120nC(1)

133.3nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(6)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.3Ω(1)

1.5Ω(1)

12mΩ(1)

13mΩ(2)

42mΩ(1)

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

30V(1)

75V(2)

150V(1)

200V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-40A(1)

2.9A(1)

9.5A(1)

11A(1)

42A(1)

82A(2)

Czas załączania

7.8ns(1)

7.9ns(1)

8.2ns(1)

12ns(1)

13ns(2)

17ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

14ns(1)

16ns(1)

55ns(1)

64ns(2)

86ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

81ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

15ns(1)

16ns(1)

48ns(1)

50ns(1)

69ns(1)

81ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(7)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(5)

Rodzaj opakowania

Luz(7)

Price

-