• 38ns(x)
• 50ns(x)
• 53ns(x)
• 61ns(x)
• 71ns(x)
• 79ns(x)
• 81ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(6)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(5)

ONSEMI(1)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (6)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(2)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(5)

QFET®(1)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

48W(1)

74W(1)

110W(1)

125W(2)

150W(1)

200W(4)

Ładunek bramki

28nC(1)

38nC(1)

63nC(2)

66nC(1)

72nC(1)

120nC(3)

133.3nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(9)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.29Ω(1)

0.55Ω(2)

1.2Ω(1)

1.5Ω(1)

20mΩ(2)

42mΩ(1)

60mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-100V(1)

-150V(1)

100V(1)

150V(1)

400V(2)

500V(1)

600V(1)

Prąd drenu (A)

-13A(1)

-40A(1)

-74A(2)

2.9A(1)

6.3A(1)

7.5A(1)

10A(1)

20A(1)

42A(1)

Czas załączania

10ns(1)

11ns(1)

12ns(1)

14ns(3)

16.5ns(1)

17ns(1)

18ns(2)

Czas narastania

15ns(1)

27ns(2)

36ns(1)

44ns(1)

55ns(1)

60.5ns(1)

86ns(1)

99ns(2)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

81ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

14ns(1)

24ns(2)

37ns(1)

43ns(1)

64.5ns(1)

69ns(1)

81ns(1)

96ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

D2PAK(2)

TO220AB(7)

TO220F(1)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Tuba(2)

Price

-