• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 17ns/32ns(N/P)(x)
• 37ns(x)
• 41ns(x)
• 43ns(x)
• 45ns(x)
• 57ns(x)
• 64.5ns(x)
• 110ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(4)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory wielokanałowe(2)

Tranzystory z kanałem N THT(4)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(7)

ONSEMI(1)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

N/P-MOSFET(2)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(2)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(7)

QFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2W(1)

45W(1)

48W(1)

68W(1)

110W(1)

150W(1)

200W(1)

280W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(1)

25nC(1)

28nC(1)

61nC(1)

66nC(1)

72nC(1)

170nC(1)

180nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(9)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.2Ω(1)

0.29Ω(1)

0.175Ω(1)

1.2Ω(1)

5.3mΩ(1)

8mΩ(1)

29/58mΩ(1)

50/100mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-100V(1)

-150V(1)

30/-30V(2)

55V(1)

100V(1)

300V(1)

600V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-13A(1)

-15A(1)

-19A(1)

4/-3A(1)

6.5/-4.9A(1)

7.5A(1)

20A(1)

70A(1)

133A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

8.1ns/13ns(N/P)(1)

11ns(1)

13ns(3)

14ns(1)

16.5ns(1)

16ns(1)

24ns(1)

Czas narastania

8.9ns/13ns(N/P)(1)

16ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

36ns(1)

44ns(1)

55ns(2)

60.5ns(1)

73ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

30ns(1)

34ns(1)

53ns(2)

62ns(1)

81ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

SO8(2)

TO220AB(5)

TO220F(1)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(9)

Tuba(1)

Price

-