• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 19ns(x)
• 25ns(x)
• 57ns(x)
• 67ns(x)
• 74ns(x)
• 110ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(5)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(4)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (5)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(1)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(4)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

79W(1)

125W(1)

200W(1)

280W(2)

520W(1)

Ładunek bramki

24.7nC(1)

25nC(1)

38nC(1)

61nC(1)

161nC(1)

170nC(1)

210nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(5)

±30V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(2)

0.85Ω(1)

5.3mΩ(1)

8mΩ(1)

50/100mΩ(1)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

30/-30V(1)

55V(1)

100V(1)

200V(1)

400V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-15A(1)

4/-3A(1)

5.1A(1)

14A(1)

17A(1)

130A(1)

133A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

9.2ns(1)

11ns(1)

13ns(1)

16ns(1)

18ns(1)

41ns(1)

Czas narastania

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

23ns(1)

73ns(1)

79ns(1)

105ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

26ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

64ns(1)

100ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(7)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(3)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(7)

Price

-