• 19ns(x)
• 33ns(x)
• 44ns(x)
• 47ns(x)
• 64.5ns(x)
• 70ns(x)
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Kategorie

MOSFET z kanałem N(10)

Tranzystory z kanałem N THT(10)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(7)

ONSEMI(1)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (10)

Montaż

THT(10)

Technologia

HEXFET®(7)

QFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

48W(1)

125W(1)

150W(2)

190W(1)

200W(3)

214W(1)

330W(1)

Ładunek bramki

28nC(1)

38nC(1)

86.7nC(1)

113.3nC(1)

123nC(2)

150nC(1)

160nC(2)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(8)

±30V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.4Ω(1)

0.85Ω(1)

1.2Ω(1)

4mΩ(1)

5.3mΩ(1)

7.8mΩ(1)

8mΩ(1)

23mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

40V(1)

55V(2)

75V(1)

100V(1)

200V(2)

500V(2)

600V(1)

Prąd drenu (A)

5.1A(1)

7.5A(1)

8.7A(1)

30A(2)

57A(1)

98A(1)

130A(1)

133A(1)

162A(1)

Czas załączania

11ns(2)

12ns(1)

13ns(1)

14ns(3)

16.5ns(1)

17ns(2)

Czas narastania

23ns(1)

43ns(2)

47ns(1)

58ns(1)

60.5ns(1)

100ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

Czas wyłączania

26ns(1)

41ns(2)

43ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

81ns(1)

92ns(1)

130ns(1)

150ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

TO220AB(5)

TO220F(1)

TO247AC(3)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(9)

Tuba(1)

Price

-