• 33ns(x)
• 36ns(x)
• 41ns(x)
• 70ns(x)
• 81ns(x)
• 96ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(7)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (7)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(2)

THT(9)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

68W(1)

125W(1)

130W(1)

150W(3)

200W(4)

214W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

70nC(3)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

160nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(11)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.18Ω(3)

4mΩ(1)

8mΩ(1)

20mΩ(2)

60mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(3)

-100V(1)

40V(1)

55V(1)

200V(5)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-19A(1)

-40A(1)

-74A(2)

11A(2)

30A(2)

98A(1)

162A(1)

Czas załączania

13ns(1)

14ns(6)

17ns(2)

18ns(2)

Czas narastania

43ns(2)

51ns(3)

55ns(1)

86ns(1)

99ns(2)

100ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

30ns(1)

41ns(2)

43ns(1)

45ns(3)

46ns(1)

61ns(2)

79ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(11)

Obudowa

D2PAK(2)

TO220AB(5)

TO247AC(3)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Price

-