• SMD(x)
• 4.0ns(x)
• 8.6ns(x)
• 96ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(3)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(2)

200W(1)

Ładunek bramki

21nC(1)

41nC(1)

120nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

12mΩ(1)

13.4mΩ(1)

20mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

30V(1)

80V(1)

Prąd drenu (A)

-74A(1)

10A(1)

11A(1)

Czas załączania

7.8ns(1)

9.4ns(1)

18ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

99ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

61ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(1)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(1)

36ns(1)

48ns(1)

96ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(2)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-