• 5.5ns(x)
• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 8.6ns(x)
• 24ns(x)
• 38ns(x)
• 57ns(x)
• 63ns(x)
• 110ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(7)

MOSFET z kanałem P(5)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Tranzystory z kanałem P THT(5)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(6)

VISHAY(7)

Typ tranzystora

N-MOSFET (7)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (5)

Montaż

SMD(4)

THT(9)

Technologia

HEXFET®(6)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2.5W(1)

74W(1)

88W(1)

110W(1)

125W(3)

150W(2)

180W(1)

200W(1)

280W(1)

Ładunek bramki

25nC(1)

26nC(1)

29nC(1)

41nC(1)

42nC(1)

44.7nC(2)

44nC(2)

61nC(1)

63nC(2)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(13)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.5Ω(2)

0.8Ω(1)

0.15Ω(2)

0.16Ω(1)

0.55Ω(2)

5.3mΩ(1)

13.4mΩ(1)

50/100mΩ(1)

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-100V(1)

-200V(3)

30/-30V(1)

55V(1)

80V(1)

100V(1)

200V(2)

400V(2)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-15A(1)

-31A(1)

4/-3A(1)

6.3A(1)

10A(3)

18A(2)

133A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

9.4ns(1)

10ns(3)

12ns(1)

13ns(1)

14ns(5)

16ns(1)

Czas narastania

8.5ns(1)

19ns(2)

21ns/17ns(N/P)(1)

27ns(3)

34ns(1)

43ns(2)

66ns(1)

73ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(3)

28ns(1)

34ns(1)

39ns(3)

50ns(2)

130ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(13)

Obudowa

D2PAK(2)

SO8(2)

TO220AB(7)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(12)

Tuba(1)

Price

-