• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 17ns/32ns(N/P)(x)
• 40ns(x)
• 53ns(x)
• 57ns(x)
• 70ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(5)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory wielokanałowe(2)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(7)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (5)

N/P-MOSFET(2)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(2)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(7)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2W(1)

150W(1)

160W(3)

170W(1)

280W(1)

Ładunek bramki

22/23nC(1)

25nC(1)

61nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(1)

110nC(2)

113.3nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(8)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

8mΩ(1)

12mΩ(1)

29/58mΩ(1)

36mΩ(3)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

30/-30V(2)

55V(1)

60V(1)

100V(3)

Prąd drenu (A)

-15A(1)

4/-3A(1)

6.5/-4.9A(1)

30A(2)

42A(1)

81A(1)

98A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

8.1ns/13ns(N/P)(1)

11ns(3)

12ns(1)

14ns(1)

16ns(1)

Czas narastania

8.9ns/13ns(N/P)(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

56ns(3)

73ns(1)

78ns(1)

100ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

34ns(1)

43ns(1)

45ns(3)

48ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

SO8(2)

TO220AB(2)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Price

-