• 200V(x)
• 33ns(x)
• 48ns(x)
• 74ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(5)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(5)

Typ tranzystora

N-MOSFET (5)

Montaż

THT(5)

Technologia

HEXFET®(5)

Moc rozpraszana (W)

150W(1)

214W(1)

300W(2)

520W(1)

Ładunek bramki

123nC(2)

161nC(1)

234nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(4)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

8mΩ(1)

40mΩ(2)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

40V(1)

75V(2)

80V(1)

100V(4)

200V(5)

250V(1)

Prąd drenu (A)

30A(4)

130A(1)

Czas załączania

14ns(2)

17ns(2)

41ns(1)

Czas narastania

43ns(2)

60ns(2)

105ns(1)

Czas wyłączania

41ns(2)

55ns(2)

64ns(1)

Czas zanikania

5.5ns(2)

15ns(1)

31ns(1)

33ns(2)

36ns(3)

48ns(2)

74ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(5)

Obudowa

TO247AC(4)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(5)

Price

-