• 8.6ns(x)
• 38ns(x)
• 41ns(x)
• 51ns(x)
• 74ns(x)
• 88ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(3)

MOSFET z kanałem P(5)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(2)

Tranzystory z kanałem P THT(5)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(6)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

P-MOSFET (5)

Montaż

SMD(1)

THT(7)

Technologia

HEXFET®(6)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(1)

68W(1)

79W(1)

125W(1)

140W(1)

180W(1)

370W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

41nC(1)

44nC(2)

64.7nC(2)

150nC(1)

161nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(7)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.5Ω(2)

0.117Ω(2)

3.7mΩ(1)

8mΩ(1)

13.4mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-100V(2)

-200V(2)

80V(1)

100V(1)

200V(1)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-19A(1)

-23A(2)

10A(1)

130A(1)

180A(1)

Czas załączania

9.4ns(1)

13ns(1)

14ns(2)

15ns(2)

25ns(1)

41ns(1)

Czas narastania

8.5ns(1)

43ns(2)

55ns(1)

67ns(3)

105ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

30ns(1)

39ns(2)

51ns(2)

64ns(1)

78ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(3)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Price

-