• 130W(x)
• 150W(x)
• 5.5ns(x)
• 36ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(4)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

Montaż

SMD(2)

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

125W(1)

130W(1)

150W(3)

Ładunek bramki

44.7nC(2)

70nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(4)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.15Ω(2)

0.18Ω(2)

Napięcie dren-źródło (V)

200V(4)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

11A(1)

18A(2)

Czas załączania

10ns(2)

14ns(2)

Czas narastania

19ns(2)

51ns(2)

Czas wyłączania

23ns(2)

45ns(2)

Czas zanikania

5.5ns(2)

33ns(1)

36ns(2)

43ns(1)

70ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(4)

Obudowa

D2PAK(2)

TO220AB(1)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(4)

Price

-