• ±20V(x)
• 4/-3A(x)
• 11A(x)
• 14A(x)
• 30A(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(9)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(7)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (9)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(2)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(7)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

125W(1)

130W(1)

150W(1)

160W(2)

214W(1)

280W(1)

300W(2)

Ładunek bramki

25nC(1)

70nC(2)

110nC(2)

123nC(2)

210nC(1)

234nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(10)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.18Ω(2)

36mΩ(2)

40mΩ(2)

50/100mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

100V(2)

200V(6)

400V(1)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-12A(2)

-13A(1)

-14A(1)

-15A(1)

-19A(1)

-23A(2)

-31A(1)

-40A(1)

-74A(2)

1.6A(1)

2.9A(2)

4/-3A(1)

5.1A(1)

6.3A(1)

6.5/-4.9A(1)

8.7A(1)

9.5A(1)

10A(2)

11A(2)

13A(1)

14A(1)

17A(1)

18A(2)

20A(1)

23A(1)

24A(1)

30A(6)

33A(1)

36A(1)

42A(2)

57A(2)

70A(1)

80A(1)

81A(2)

82A(2)

98A(1)

130A(1)

133A(1)

162A(1)

170A(1)

180A(1)

290A(1)

350A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

11ns(2)

14ns(4)

17ns(2)

18ns(1)

Czas narastania

21ns/17ns(N/P)(1)

43ns(2)

51ns(2)

56ns(2)

60ns(2)

79ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

41ns(2)

45ns(4)

55ns(2)

100ns(1)

Czas zanikania

7.7ns/18ns(N/P)(1)

33ns(2)

36ns(2)

40ns(2)

48ns(2)

67ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(1)

TO247AC(6)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Price

-