• 6.5/-4.9A(x)
• 13A(x)
• 23A(x)
• 33A(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(3)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(1)

THT(3)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

140W(1)

190W(1)

280W(1)

Ładunek bramki

22/23nC(1)

47.3nC(1)

140nC(1)

210nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(4)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.14Ω(1)

0.27Ω(1)

29/58mΩ(1)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

100V(1)

250V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-12A(2)

-13A(1)

-14A(1)

-15A(1)

-19A(1)

-23A(2)

-31A(1)

-40A(1)

-74A(2)

1.6A(1)

2.9A(2)

4/-3A(1)

5.1A(2)

6.3A(1)

6.5/-4.9A(1)

7.5A(1)

8.7A(1)

9.5A(1)

10A(3)

11A(3)

13A(1)

14A(1)

17A(1)

18A(2)

20A(1)

23A(1)

24A(1)

30A(6)

33A(1)

36A(1)

42A(2)

57A(2)

65A(1)

70A(1)

80A(1)

81A(2)

82A(2)

98A(1)

130A(2)

133A(1)

162A(1)

170A(1)

171A(1)

180A(1)

290A(1)

350A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

11ns(1)

15ns(1)

18ns(1)

Czas narastania

8.9ns/13ns(N/P)(1)

35ns(1)

59ns(1)

63ns(1)

Czas wyłączania

26ns/34ns(N/P)(1)

39ns(1)

74ns(1)

110ns(1)

Czas zanikania

17ns/32ns(N/P)(1)

35ns(1)

50ns(1)

58ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(4)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(1)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(4)

Price

-