• INFINEON TECHNOLOGIES(x)
• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 41ns(x)
• 45ns(x)
• 48ns(x)
• 70ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(6)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

Typ tranzystora

N-MOSFET (6)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(2)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

68W(1)

150W(1)

200W(2)

300W(2)

517W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

25nC(1)

66.7nC(1)

106.7nC(1)

113.3nC(1)

180nC(1)

234nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(8)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

8mΩ(2)

13mΩ(1)

25mΩ(1)

40mΩ(2)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

30/-30V(1)

55V(1)

75V(1)

100V(1)

200V(2)

300V(1)

Prąd drenu (A)

-19A(1)

4/-3A(1)

30A(2)

57A(1)

70A(1)

82A(1)

98A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

13ns(2)

14ns(2)

17ns(2)

24ns(1)

Czas narastania

16ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

55ns(1)

59ns(1)

60ns(2)

64ns(1)

100ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

30ns(1)

43ns(1)

49ns(1)

55ns(2)

58ns(1)

62ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

37ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(1)

51ns(2)

53ns(1)

63ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(1)

TO247AC(5)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Price

-