• 13.4mΩ(x)
• 44mΩ(x)
• 50/100mΩ(x)
• Wzbogacany(x)
• SO8(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2.5W(2)

Ładunek bramki

25nC(1)

35nC(1)

41nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

12mΩ(1)

13.4mΩ(1)

29/58mΩ(1)

44mΩ(1)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

80V(1)

150V(1)

Prąd drenu (A)

4/-3A(1)

5.1A(1)

10A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

9.4ns(1)

9ns(1)

Czas narastania

8.5ns(1)

10ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

29ns(1)

Czas zanikania

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

SO8(3)

TO220AB(1)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-