• HEXFET®(x)
• 10ns(x)
• 16ns(x)
• 22ns(x)
• 43ns(x)
• 67ns(x)
• 140ns(x)
• 140ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(7)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(10)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

P-MOSFET (2)

Montaż

SMD(1)

THT(9)

Technologia

HEXFET®(10)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(1)

79W(2)

140W(1)

150W(1)

170W(1)

214W(1)

310W(1)

370W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

24.7nC(1)

35nC(1)

64.7nC(2)

86.6nC(1)

123nC(2)

150nC(1)

180nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(10)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.117Ω(2)

3.7mΩ(1)

4.5mΩ(1)

8mΩ(1)

12mΩ(1)

44mΩ(1)

75mΩ(2)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(2)

60V(1)

75V(1)

100V(2)

150V(1)

200V(2)

300V(1)

Prąd drenu (A)

-23A(2)

5.1A(1)

17A(1)

30A(2)

70A(1)

81A(1)

170A(1)

180A(1)

Czas załączania

9.2ns(1)

9ns(1)

14ns(2)

15ns(2)

16ns(1)

19ns(1)

24ns(1)

25ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

14ns(1)

16ns(1)

19ns(2)

20ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

43ns(2)

55ns(3)

56ns(3)

58ns(2)

59ns(1)

60ns(2)

64ns(2)

66ns(1)

67ns(3)

78ns(1)

86ns(1)

99ns(2)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

29ns(1)

35ns(1)

41ns(2)

51ns(2)

62ns(1)

68ns(1)

78ns(1)

97ns(1)

Czas zanikania

14ns(1)

25ns(1)

33ns(2)

45ns(1)

51ns(2)

88ns(1)

100ns(1)

120ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(3)

TO247AC(5)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Price

-