• 75A(x)
• 80A(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

Tranzystory IGBT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

TOSHIBA(2)

Typ tranzystora

IGBT(3)

Montaż

THT(3)

Technologia

TrenchStop®(1)

Moc rozpraszana (W)

170W(1)

190W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

155nC(1)

Napięcie nasycenia kolektor-emiter

1.7V(1)

2.8V(1)

3.7V(1)

Napięcie Kolektor-Emiter VCEO

1.2kV(2)

1.5kV(1)

Napięcie bramka-emiter

±20V(1)

±25V(2)

Prąd kolektora

40A(1)

42A(1)

50A(1)

Prąd kolektora w impulsie

30A(1)

40A(1)

45A(1)

60A(1)

75A(1)

80A(2)

100A(4)

105A(1)

150A(1)

160A(2)

200A(3)

Czas załączania

50ns(1)

250ns(1)

450ns(1)

Czas wyłączania

560ns(1)

570ns(1)

600ns(1)

Energia załączenia

2.0mJ(1)

Energia wyłączenia

2.2mJ(1)

Prąd upływowy bramka–emiter

500nA(2)

600nA(1)

Temperatura pracy

-40...+150°C(1)

-55...+150°C(2)

Obudowa

PG-TO247-3(1)

TO3P(LH)(1)

TO3P(N)(1)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-