• 13ns(x)
• 41ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

Montaż

SMD(1)

THT(3)

Technologia

HEXFET®(4)

Moc rozpraszana (W)

200W(3)

520W(1)

Ładunek bramki

106.7nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

5.3mΩ(1)

8mΩ(1)

13mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

55V(1)

75V(2)

200V(1)

Prąd drenu (A)

82A(2)

130A(1)

133A(1)

Czas załączania

7.9ns(1)

8.2ns(1)

8ns(1)

9.2ns(1)

10ns(4)

11ns(7)

12ns(3)

13ns(3)

14ns(7)

15ns(1)

16.5ns(1)

16ns(1)

17ns(4)

18ns(2)

19ns(1)

22ns(1)

24ns(1)

25ns(1)

27ns(1)

33ns(1)

41ns(1)

43ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

64ns(2)

105ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

49ns(2)

64ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

48ns(1)

50ns(1)

74ns(1)

110ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(4)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(2)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(4)

Price

-