• THT(x)
• 17ns(x)
• 43ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(4)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (5)

Montaż

THT(5)

Technologia

HEXFET®(4)

Moc rozpraszana (W)

190W(1)

200W(1)

300W(2)

520W(1)

Ładunek bramki

150nC(1)

160nC(1)

234nC(2)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(5)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.4Ω(1)

1.46mΩ(1)

4mΩ(1)

40mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

40V(1)

75V(1)

200V(2)

500V(1)

Prąd drenu (A)

8.7A(1)

30A(2)

162A(1)

350A(1)

Czas załączania

7.9ns(1)

8.2ns(1)

8ns(1)

9.2ns(1)

10ns(3)

11ns(7)

12ns(3)

13ns(2)

14ns(7)

15ns(1)

16.5ns(1)

16ns(1)

17ns(4)

18ns(2)

19ns(1)

22ns(1)

24ns(1)

25ns(1)

27ns(1)

33ns(1)

41ns(1)

43ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

47ns(1)

60ns(2)

190ns(1)

220ns(1)

Czas wyłączania

46ns(1)

55ns(2)

92ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

33ns(1)

44ns(1)

48ns(2)

260ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(5)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(5)

Price

-