• ±20V(x)
• 14A(x)
• 36A(x)
• 57A(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

Montaż

THT(4)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

92W(1)

200W(2)

280W(1)

Ładunek bramki

42nC(1)

66.7nC(1)

86.7nC(1)

210nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(4)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

23mΩ(1)

25mΩ(1)

26.5mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

100V(3)

400V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

1.6A(1)

2.9A(2)

8.7A(1)

9.5A(1)

10A(2)

11A(1)

13A(1)

14A(1)

17A(1)

18A(2)

20A(1)

23A(1)

24A(1)

30A(6)

33A(1)

36A(1)

42A(2)

57A(2)

70A(1)

80A(1)

81A(2)

82A(2)

98A(1)

130A(1)

133A(1)

162A(1)

170A(1)

180A(1)

290A(1)

350A(1)

Czas załączania

12ns(1)

14ns(1)

18ns(1)

Czas narastania

58ns(1)

59ns(1)

79ns(1)

Czas wyłączania

45ns(1)

58ns(1)

100ns(1)

Czas zanikania

47ns(1)

48ns(1)

67ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(4)

Obudowa

TO220AB(2)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(4)

Price

-