• 24.7nC(x)
• 25nC(x)
• 38.7nC(x)
• 73.3nC(x)
• 106.7nC(x)
• 150nC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(6)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(7)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (6)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(2)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(7)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

79W(2)

160W(1)

190W(1)

200W(2)

370W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

21nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

24nC(1)

25nC(1)

26nC(1)

28nC(1)

29nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

38nC(3)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

61nC(1)

63nC(2)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(4)

72nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

140nC(1)

146nC(1)

150nC(2)

151nC(1)

160nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

180nC(2)

210nC(3)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(8)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.4Ω(1)

0.29Ω(1)

3.7mΩ(1)

13mΩ(2)

36mΩ(1)

50/100mΩ(1)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

30/-30V(1)

75V(2)

100V(3)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-14A(1)

4/-3A(1)

8.7A(1)

17A(1)

42A(1)

82A(2)

180A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

9.2ns(1)

11ns(1)

13ns(2)

15ns(1)

17ns(1)

25ns(1)

Czas narastania

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

47ns(1)

56ns(1)

58ns(1)

64ns(2)

67ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

35ns(1)

45ns(2)

49ns(2)

78ns(1)

92ns(1)

Czas zanikania

7.7ns/18ns(N/P)(1)

25ns(1)

40ns(1)

44ns(1)

46ns(1)

48ns(1)

50ns(1)

88ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(4)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Price

-