• 24.7nC(x)
• 25nC(x)
• 44.7nC(x)
• 63nC(x)
• 66nC(x)
• 86.7nC(x)
• 106.7nC(x)
• 123nC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(10)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(9)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(10)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (10)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(4)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(10)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

79W(1)

110W(1)

125W(2)

150W(3)

200W(3)

214W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

21nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

24nC(1)

25nC(1)

26nC(1)

28nC(1)

29nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

38nC(3)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

61nC(1)

63nC(2)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(4)

72nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

140nC(1)

146nC(1)

150nC(2)

151nC(1)

160nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

180nC(2)

210nC(3)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(12)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.15Ω(2)

0.29Ω(1)

0.55Ω(2)

13mΩ(2)

23mΩ(1)

50/100mΩ(1)

75mΩ(2)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-150V(1)

30/-30V(1)

75V(2)

100V(2)

200V(4)

400V(2)

Prąd drenu (A)

-13A(1)

4/-3A(1)

6.3A(1)

10A(1)

17A(1)

18A(2)

30A(2)

57A(1)

82A(2)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

9.2ns(1)

10ns(2)

12ns(1)

13ns(2)

14ns(5)

Czas narastania

19ns(2)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

27ns(2)

36ns(1)

43ns(2)

58ns(1)

64ns(2)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(2)

35ns(1)

41ns(2)

45ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

53ns(1)

Czas zanikania

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

24ns(2)

25ns(1)

33ns(2)

37ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

50ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(12)

Obudowa

D2PAK(3)

SO8(1)

TO220AB(6)

TO247AC(1)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Tuba(1)

Price

-