• 21ns(x)
• 41ns(x)
• 43ns(x)
• 49ns(x)
• 53ns(x)
• 55ns(x)
• 61ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(9)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory z kanałem N THT(9)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(11)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (9)

P-MOSFET (3)

Montaż

SMD(2)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(11)

Moc rozpraszana (W)

110W(1)

150W(3)

190W(1)

200W(4)

214W(1)

300W(2)

Ładunek bramki

66nC(1)

70nC(1)

72nC(1)

106.7nC(2)

113.3nC(1)

120nC(2)

123nC(2)

234nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(11)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.29Ω(1)

8mΩ(1)

13mΩ(2)

19.7mΩ(1)

20mΩ(2)

40mΩ(2)

75mΩ(2)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-150V(1)

55V(1)

75V(2)

100V(1)

200V(5)

Prąd drenu (A)

-13A(1)

-74A(2)

20A(1)

30A(4)

65A(1)

82A(2)

98A(1)

Czas załączania

11ns(1)

13ns(2)

14ns(4)

17ns(2)

18ns(2)

33ns(1)

Czas narastania

20ns(1)

36ns(1)

43ns(2)

44ns(1)

60ns(2)

64ns(2)

99ns(2)

100ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

81ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

31ns(1)

33ns(2)

37ns(1)

43ns(1)

48ns(3)

50ns(1)

70ns(1)

96ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(12)

Obudowa

D2PAK(2)

TO220AB(5)

TO247AC(4)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Tuba(1)

Price

-