• 23ns(x)
• 58ns(x)
• 62ns(x)
• 92ns(x)
• 170ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(7)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N THT(7)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(6)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (7)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(1)

THT(7)

Technologia

HEXFET®(6)

Moc rozpraszana (W)

45W(1)

88W(1)

150W(2)

190W(1)

200W(1)

517W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

26nC(1)

44.7nC(2)

66.7nC(1)

150nC(1)

180nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(8)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.4Ω(1)

0.15Ω(2)

0.16Ω(1)

0.175Ω(1)

1.46mΩ(1)

8mΩ(1)

25mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

75V(1)

100V(2)

200V(2)

300V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

8.7A(1)

10A(1)

18A(2)

57A(1)

70A(1)

350A(1)

Czas załączania

10ns(3)

13ns(1)

14ns(1)

17ns(1)

24ns(1)

43ns(1)

Czas narastania

16ns(1)

19ns(2)

34ns(1)

47ns(1)

55ns(1)

59ns(1)

220ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

81ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

5.5ns(2)

24ns(1)

37ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

48ns(1)

260ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(3)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Price

-