• 26ns/34ns(N/P)(x)
• 34ns(x)
• 42ns(x)
• 53ns(x)
• 61ns(x)
• 64ns(x)
• 71ns(x)
• 130ns(x)
• 160ns(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(6)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (6)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(2)

THT(9)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

74W(1)

110W(1)

150W(1)

200W(4)

280W(1)

520W(2)

Ładunek bramki

22/23nC(1)

38nC(1)

61nC(1)

66nC(1)

72nC(1)

120nC(2)

133.3nC(1)

161nC(1)

170nC(1)

360nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(10)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.29Ω(1)

1.5Ω(1)

2.0mΩ(1)

5.3mΩ(1)

8mΩ(1)

20mΩ(2)

29/58mΩ(1)

42mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-100V(1)

-150V(1)

30/-30V(1)

55V(1)

100V(2)

150V(1)

200V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-13A(1)

-15A(1)

-74A(2)

2.9A(1)

6.5/-4.9A(1)

20A(1)

42A(1)

130A(1)

133A(1)

290A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

8.2ns(1)

11ns(1)

12ns(1)

13ns(1)

14ns(1)

16ns(1)

18ns(2)

41ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

8.9ns/13ns(N/P)(1)

16ns(1)

36ns(1)

44ns(1)

55ns(1)

73ns(1)

99ns(2)

105ns(1)

190ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(1)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

16ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

37ns(1)

43ns(1)

57ns(1)

69ns(1)

74ns(1)

96ns(2)

110ns(1)

260ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(11)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(6)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Price

-