• 26ns/34ns(N/P)(x)
• 38ns(x)
• 43ns(x)
• 50ns(x)
• 53ns(x)
• 61ns(x)
• 71ns(x)
• 81ns(x)
• 160ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(7)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(7)

ONSEMI(1)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (3)

Montaż

SMD(3)

THT(9)

Technologia

HEXFET®(7)

QFET®(1)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

48W(1)

74W(1)

110W(1)

125W(2)

150W(2)

200W(3)

520W(1)

Ładunek bramki

22/23nC(1)

28nC(1)

38nC(1)

63nC(2)

66nC(1)

72nC(1)

113.3nC(1)

120nC(2)

133.3nC(1)

360nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(11)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.29Ω(1)

0.55Ω(2)

1.2Ω(1)

1.5Ω(1)

2.0mΩ(1)

8mΩ(1)

20mΩ(2)

29/58mΩ(1)

42mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-150V(1)

30/-30V(1)

55V(1)

100V(2)

150V(1)

400V(2)

500V(1)

600V(1)

Prąd drenu (A)

-13A(1)

-74A(2)

2.9A(1)

6.3A(1)

6.5/-4.9A(1)

7.5A(1)

10A(1)

20A(1)

42A(1)

98A(1)

290A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

11ns(1)

12ns(1)

14ns(4)

16.5ns(1)

18ns(2)

52ns(1)

Czas narastania

8.9ns/13ns(N/P)(1)

15ns(1)

27ns(2)

36ns(1)

44ns(1)

55ns(1)

60.5ns(1)

99ns(2)

100ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

81ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

14ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(2)

37ns(1)

43ns(1)

64.5ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

96ns(2)

260ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(12)

Obudowa

D2PAK(2)

SO8(1)

TO220AB(6)

TO220F(1)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Tuba(2)

Price

-