• 27ns(x)
• 38ns(x)
• 42ns(x)
• 49ns(x)
• 53ns(x)
• 58ns(x)
• 61ns(x)
• 110ns(x)
• 160ns(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(10)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory z kanałem N THT(10)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(5)

Typ tranzystora

N-MOSFET (10)

P-MOSFET (3)

Montaż

SMD(2)

THT(11)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

74W(2)

82W(1)

110W(1)

150W(1)

200W(5)

280W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

38nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

72nC(1)

106.7nC(2)

120nC(2)

210nC(2)

360nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(13)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.3Ω(1)

0.27Ω(1)

0.29Ω(1)

0.75Ω(1)

1.5Ω(2)

2.0mΩ(1)

13mΩ(2)

20mΩ(2)

25mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-150V(1)

75V(2)

100V(3)

200V(1)

250V(1)

500V(3)

Prąd drenu (A)

-13A(1)

-74A(2)

2.9A(2)

9.5A(1)

13A(1)

20A(1)

24A(1)

57A(1)

82A(2)

290A(1)

Czas załączania

7.9ns(1)

8.2ns(1)

10ns(1)

11ns(1)

13ns(2)

14ns(2)

18ns(3)

22ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

14ns(1)

15ns(1)

16ns(1)

36ns(1)

44ns(1)

59ns(2)

64ns(2)

99ns(3)

230ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(1)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

14ns(1)

15ns(1)

16ns(1)

37ns(1)

43ns(1)

48ns(2)

50ns(1)

58ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

260ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(13)

Obudowa

D2PAK(2)

TO220AB(7)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(13)

Price

-