• 15ns(x)
• 35ns(x)
• 37ns(x)
• 69ns(x)
• 70ns(x)
• 74ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(5)

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(7)

Typ tranzystora

N-MOSFET (5)

P-MOSFET (2)

Montaż

THT(7)

Technologia

HEXFET®(7)

Moc rozpraszana (W)

45W(1)

82W(1)

110W(1)

140W(1)

150W(1)

200W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

23.3nC(1)

47.3nC(1)

66nC(1)

113.3nC(1)

133.3nC(1)

161nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(6)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.3Ω(1)

0.29Ω(1)

0.175Ω(1)

8mΩ(2)

42mΩ(1)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-150V(1)

55V(1)

100V(1)

150V(1)

200V(2)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-13A(1)

9.5A(1)

33A(1)

42A(1)

98A(1)

130A(1)

Czas załączania

7.9ns(1)

11ns(1)

12ns(1)

13ns(1)

14ns(2)

41ns(1)

Czas narastania

14ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

55ns(2)

100ns(1)

105ns(1)

Czas wyłączania

23ns(1)

27ns(1)

39ns(1)

43ns(1)

53ns(1)

64ns(1)

71ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(7)

Obudowa

TO220AB(5)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(7)

Price

-