• 37ns(x)
• 40ns(x)
• 41ns(x)
• 47ns(x)
• 92ns(x)
• 110ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(6)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (6)

P-MOSFET (3)

Montaż

THT(9)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

45W(1)

68W(1)

110W(1)

160W(3)

200W(2)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

23.3nC(1)

66nC(1)

73.3nC(1)

86.7nC(1)

110nC(2)

170nC(1)

210nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(9)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.29Ω(1)

0.75Ω(1)

0.175Ω(1)

5.3mΩ(1)

23mΩ(1)

36mΩ(3)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-150V(1)

55V(1)

100V(4)

250V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-13A(1)

-19A(1)

24A(1)

30A(2)

42A(1)

57A(1)

133A(1)

Czas załączania

11ns(3)

12ns(1)

13ns(3)

14ns(1)

22ns(1)

Czas narastania

36ns(1)

55ns(2)

56ns(3)

58ns(1)

99ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

23ns(1)

30ns(1)

45ns(4)

53ns(1)

110ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(9)

Obudowa

TO220AB(6)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(9)

Price

-