• 4.0ns(x)
• 38ns(x)
• 46ns(x)
• 58ns(x)
• 67ns(x)
• 74ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(4)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

P-MOSFET (3)

Montaż

SMD(1)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(1)

79W(1)

125W(1)

180W(1)

280W(2)

520W(1)

Ładunek bramki

21nC(1)

38.7nC(1)

44nC(2)

161nC(1)

210nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(5)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.5Ω(2)

0.27Ω(1)

0.29Ω(1)

8mΩ(1)

12mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

-200V(2)

30V(1)

200V(1)

400V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-14A(1)

11A(1)

13A(1)

14A(1)

130A(1)

Czas załączania

7.8ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

18ns(2)

41ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

43ns(2)

58ns(1)

59ns(1)

79ns(1)

105ns(1)

Czas wyłączania

19ns(1)

39ns(2)

45ns(1)

64ns(1)

100ns(1)

110ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(7)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(2)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(7)

Price

-