• 88W(x)
• 125W(x)
• 200W(x)
• ±20V(x)
• D2PAK(x)
• TO220AB(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(11)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(10)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(10)

VISHAY(5)

Typ tranzystora

N-MOSFET (11)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(3)

THT(12)

Technologia

HEXFET®(10)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

45W(1)

50W(1)

68W(1)

74W(3)

79W(3)

82W(1)

88W(1)

92W(1)

110W(2)

125W(4)

130W(1)

140W(1)

150W(3)

160W(1)

170W(2)

200W(10)

330W(1)

Ładunek bramki

26nC(1)

44nC(1)

63nC(2)

70nC(1)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

120nC(3)

133.3nC(1)

146nC(1)

160nC(1)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(15)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.5Ω(1)

0.16Ω(1)

0.18Ω(1)

0.55Ω(2)

4mΩ(1)

5.3mΩ(1)

8mΩ(1)

13mΩ(2)

20mΩ(2)

23mΩ(1)

42mΩ(1)

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-100V(1)

-200V(1)

40V(1)

55V(2)

75V(2)

100V(2)

150V(1)

200V(1)

400V(2)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

-40A(1)

-74A(2)

6.3A(1)

10A(2)

11A(1)

42A(1)

57A(1)

80A(1)

82A(2)

133A(1)

162A(1)

Czas załączania

10ns(1)

12ns(2)

13ns(3)

14ns(4)

17ns(2)

18ns(2)

Czas narastania

27ns(2)

34ns(1)

43ns(1)

51ns(1)

55ns(1)

58ns(1)

64ns(2)

86ns(1)

99ns(2)

190ns(2)

Czas wyłączania

23ns(1)

39ns(1)

45ns(2)

46ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

61ns(2)

71ns(1)

79ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

24ns(3)

33ns(1)

36ns(1)

38ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

50ns(1)

69ns(1)

81ns(1)

96ns(2)

110ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(15)

Obudowa

D2PAK(3)

TO220AB(12)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(14)

Tuba(1)

Price

-