• ±20V(x)
• 14ns(x)
• 24ns(x)
• 37ns(x)
• 51ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(5)

MOSFET z kanałem P(5)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Tranzystory z kanałem P THT(5)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(5)

VISHAY(5)

Typ tranzystora

N-MOSFET (5)

P-MOSFET (5)

Montaż

SMD(2)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(5)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(1)

45W(1)

74W(2)

79W(1)

88W(1)

110W(1)

125W(2)

140W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

26nC(1)

29nC(1)

35nC(1)

38nC(1)

63nC(2)

64.7nC(2)

66nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(10)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.8Ω(1)

0.16Ω(1)

0.29Ω(1)

0.55Ω(2)

0.117Ω(2)

0.175Ω(1)

1.5Ω(1)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-100V(2)

-150V(1)

-200V(1)

100V(1)

150V(1)

400V(2)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

-12A(1)

-13A(1)

-23A(2)

2.9A(1)

5.1A(1)

6.3A(1)

10A(2)

Czas załączania

9ns(1)

10ns(2)

12ns(1)

13ns(1)

14ns(3)

15ns(2)

Czas narastania

10ns(1)

15ns(1)

27ns(3)

34ns(1)

36ns(1)

55ns(1)

67ns(2)

Czas wyłączania

23ns(2)

28ns(1)

29ns(1)

38ns(1)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

Czas zanikania

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(4)

25ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

81ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(7)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(9)

Tuba(1)

Price

-