• ±20V(x)
• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 14ns(x)
• 44ns(x)
• 45ns(x)
• 50ns(x)
• 70ns(x)
• 96ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(7)

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(7)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (7)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (2)

Montaż

SMD(3)

THT(7)

Technologia

HEXFET®(7)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2.5W(1)

74W(1)

150W(1)

190W(2)

200W(3)

517W(1)

Ładunek bramki

25nC(1)

35nC(1)

38nC(1)

106.7nC(1)

113.3nC(1)

120nC(2)

140nC(1)

150nC(1)

180nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(10)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.4Ω(1)

0.14Ω(1)

1.5Ω(1)

8mΩ(2)

13mΩ(1)

20mΩ(2)

44mΩ(1)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

30/-30V(1)

55V(1)

75V(1)

150V(1)

250V(1)

300V(1)

500V(2)

Prąd drenu (A)

-74A(2)

2.9A(1)

4/-3A(1)

5.1A(1)

8.7A(1)

23A(1)

70A(1)

82A(1)

98A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

9ns(1)

10ns(1)

13ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

17ns(1)

18ns(2)

24ns(1)

Czas narastania

10ns(1)

15ns(1)

16ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

47ns(1)

63ns(1)

64ns(1)

99ns(2)

100ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

29ns(1)

38ns(1)

43ns(1)

49ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

74ns(1)

92ns(1)

Czas zanikania

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(4)

25ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

81ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(2)

TO220AB(3)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Price

-