• HEXFET®(x)
• 22/23nC(x)
• 23.3nC(x)
• 47.3nC(x)
• 160nC(x)
• 234nC(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(6)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

Typ tranzystora

N-MOSFET (6)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(1)

THT(7)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

68W(1)

82W(1)

140W(1)

200W(1)

300W(2)

330W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

21nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

25nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

47.3nC(1)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

146nC(1)

150nC(1)

151nC(1)

160nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

180nC(2)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(8)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.3Ω(1)

4mΩ(1)

7.8mΩ(1)

29/58mΩ(1)

40mΩ(2)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

30/-30V(1)

40V(1)

75V(1)

100V(1)

200V(3)

Prąd drenu (A)

-19A(1)

6.5/-4.9A(1)

9.5A(1)

30A(2)

33A(1)

130A(1)

162A(1)

Czas załączania

7.9ns(1)

8.1ns/13ns(N/P)(1)

11ns(2)

13ns(1)

17ns(3)

Czas narastania

8.9ns/13ns(N/P)(1)

14ns(1)

35ns(1)

55ns(1)

60ns(2)

150ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

30ns(1)

39ns(1)

46ns(1)

55ns(2)

150ns(1)

Czas zanikania

15ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

33ns(1)

35ns(1)

41ns(1)

48ns(2)

140ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(5)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Price

-