• INFINEON TECHNOLOGIES(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

SMD(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(3)

Ładunek bramki

21nC(1)

35nC(1)

41nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

12mΩ(1)

13.4mΩ(1)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30V(1)

80V(1)

150V(1)

Prąd drenu (A)

5.1A(1)

10A(1)

11A(1)

Czas załączania

7.8ns(1)

9.4ns(1)

9ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

10ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

29ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

8.6ns(1)

14ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

SO8(3)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-