• 1.5Ω(x)
• 3Ω(x)
• 23mΩ(x)
• TO220AB(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

Montaż

THT(4)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

50W(1)

74W(2)

200W(1)

Ładunek bramki

24nC(1)

38nC(2)

86.7nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(4)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.3Ω(1)

0.15Ω(1)

0.16Ω(1)

0.18Ω(1)

0.55Ω(1)

0.85Ω(1)

1.5Ω(2)

3Ω(1)

4mΩ(1)

5.3mΩ(1)

7.8mΩ(1)

8mΩ(1)

12mΩ(2)

13mΩ(1)

19.7mΩ(1)

23mΩ(1)

26.5mΩ(1)

36mΩ(1)

42mΩ(1)

44mΩ(1)

77mΩ(1)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

100V(1)

500V(3)

Prąd drenu (A)

1.6A(1)

2.9A(2)

57A(1)

Czas załączania

8.2ns(1)

8ns(1)

10ns(1)

12ns(1)

Czas narastania

8.6ns(1)

15ns(1)

16ns(1)

58ns(1)

Czas wyłączania

33ns(1)

38ns(1)

42ns(1)

45ns(1)

Czas zanikania

14ns(1)

16ns(2)

47ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(4)

Obudowa

TO220AB(4)

TO247AC(3)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(4)

Price

-