• 21nC(x)
• 22/23nC(x)
• 41nC(x)
• 66nC(x)
• 72nC(x)
• 86.6nC(x)
• 151nC(x)
• 180nC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(9)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(3)

THT(7)

Technologia

HEXFET®(9)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(2)

2W(1)

110W(1)

150W(1)

170W(2)

310W(1)

517W(2)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

21nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

24nC(1)

25nC(1)

26nC(1)

28nC(1)

29nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

38nC(3)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

61nC(1)

63nC(2)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(4)

72nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

140nC(1)

146nC(1)

150nC(2)

151nC(1)

160nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

180nC(2)

210nC(3)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(8)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.29Ω(1)

4.5mΩ(1)

4.8mΩ(1)

8mΩ(1)

12mΩ(3)

13.4mΩ(1)

29/58mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-150V(1)

30/-30V(1)

30V(1)

60V(2)

75V(1)

80V(1)

100V(1)

150V(1)

300V(1)

Prąd drenu (A)

-13A(1)

6.5/-4.9A(1)

10A(1)

11A(1)

20A(1)

70A(1)

81A(2)

170A(1)

171A(1)

Czas załączania

7.8ns(1)

8.1ns/13ns(N/P)(1)

9.4ns(1)

11ns(1)

12ns(1)

14ns(1)

16ns(1)

19ns(1)

24ns(1)

27ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

16ns(1)

36ns(1)

44ns(1)

78ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

47ns(1)

48ns(1)

53ns(2)

62ns(1)

68ns(1)

97ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

8.6ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

37ns(1)

43ns(1)

45ns(1)

53ns(1)

84ns(1)

100ns(1)

120ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

SO8(3)

TO220AB(4)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Price

-