• 24.7nC(x)
• 24nC(x)
• 25nC(x)
• 29nC(x)
• 44nC(x)
• 66nC(x)
• 73.3nC(x)
• 86.7nC(x)
• 120nC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(4)

MOSFET z kanałem P(7)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(4)

Tranzystory z kanałem P THT(7)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (7)

Montaż

SMD(2)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

50W(1)

74W(1)

79W(1)

110W(1)

125W(1)

160W(1)

180W(1)

200W(4)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

21nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

24nC(1)

25nC(1)

26nC(1)

28nC(1)

29nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

38nC(3)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

61nC(1)

63nC(2)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(4)

72nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

140nC(1)

146nC(1)

150nC(2)

151nC(1)

160nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

180nC(2)

210nC(3)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(12)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.5Ω(2)

0.8Ω(1)

0.29Ω(1)

3Ω(1)

20mΩ(2)

23mΩ(1)

36mΩ(1)

50/100mΩ(1)

60mΩ(1)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-100V(1)

-150V(1)

-200V(3)

30/-30V(1)

100V(3)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-13A(1)

-40A(1)

-74A(2)

1.6A(1)

4/-3A(1)

17A(1)

42A(1)

57A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

8ns(1)

9.2ns(1)

11ns(1)

12ns(2)

14ns(3)

17ns(1)

18ns(2)

Czas narastania

8.6ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

27ns(1)

36ns(1)

43ns(2)

56ns(1)

58ns(1)

86ns(1)

99ns(2)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

28ns(1)

33ns(1)

35ns(1)

39ns(2)

45ns(2)

53ns(1)

61ns(2)

79ns(1)

Czas zanikania

7.7ns/18ns(N/P)(1)

16ns(1)

24ns(1)

25ns(1)

37ns(1)

38ns(2)

40ns(1)

47ns(1)

81ns(1)

96ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(12)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(9)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(12)

Price

-