• 8.9ns/13ns(N/P)(x)
• 27ns(x)
• 35ns(x)
• 36ns(x)
• 43ns(x)
• 56ns(x)
• 63ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(9)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(6)

Typ tranzystora

N-MOSFET (9)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(2)

THT(12)

Technologia

HEXFET®(8)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

74W(1)

110W(1)

125W(3)

140W(1)

150W(1)

160W(3)

180W(1)

190W(1)

214W(1)

Ładunek bramki

22/23nC(1)

29nC(1)

44nC(2)

47.3nC(1)

63nC(2)

66nC(1)

73.3nC(1)

110nC(2)

123nC(2)

140nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(14)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.5Ω(2)

0.8Ω(1)

0.14Ω(1)

0.29Ω(1)

0.55Ω(2)

29/58mΩ(1)

36mΩ(3)

44mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-150V(1)

-200V(3)

30/-30V(1)

100V(4)

200V(2)

250V(1)

400V(2)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-13A(1)

6.3A(1)

6.5/-4.9A(1)

10A(1)

23A(1)

30A(4)

33A(1)

42A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

11ns(4)

12ns(1)

14ns(7)

15ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

8.6ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

19ns(2)

20ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

23ns(1)

27ns(3)

34ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

43ns(4)

44ns(1)

47ns(1)

51ns(3)

55ns(3)

56ns(3)

58ns(2)

59ns(2)

60.5ns(1)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(2)

66ns(1)

67ns(3)

73ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

86ns(1)

99ns(3)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

26ns/34ns(N/P)(1)

28ns(1)

39ns(3)

41ns(2)

45ns(3)

50ns(2)

53ns(1)

74ns(1)

Czas zanikania

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(3)

33ns(2)

35ns(1)

37ns(1)

38ns(2)

40ns(3)

50ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(14)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(6)

TO247AC(5)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(13)

Tuba(1)

Price

-