• 15ns(x)
• 19ns(x)
• 39ns(x)
• 58ns(x)
• 170ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(5)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(6)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (5)

P-MOSFET (3)

Montaż

SMD(2)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(6)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(2)

110W(1)

125W(1)

140W(1)

180W(1)

200W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

21nC(1)

41nC(1)

42nC(1)

44nC(2)

47.3nC(1)

66.7nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(7)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.5Ω(2)

1.46mΩ(1)

12mΩ(1)

13.4mΩ(1)

25mΩ(1)

44mΩ(1)

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-200V(2)

30V(1)

75V(1)

80V(1)

100V(2)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-31A(1)

10A(1)

11A(1)

33A(1)

57A(1)

350A(1)

Czas załączania

7.8ns(1)

9.4ns(1)

11ns(1)

14ns(4)

43ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

35ns(1)

43ns(2)

59ns(1)

66ns(1)

220ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

81ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

8.6ns(1)

35ns(1)

38ns(2)

48ns(1)

63ns(1)

260ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

SO8(2)

TO220AB(3)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Price

-