• 23ns(x)
• 39ns(x)
• 43ns(x)
• 49ns(x)
• 71ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(9)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(2)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(9)

Moc rozpraszana (W)

45W(1)

88W(1)

110W(1)

125W(1)

140W(1)

150W(3)

180W(1)

200W(3)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

26nC(1)

42nC(1)

44.7nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

106.7nC(2)

113.3nC(1)

133.3nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(12)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.5Ω(2)

0.15Ω(2)

0.16Ω(1)

0.175Ω(1)

8mΩ(1)

13mΩ(2)

42mΩ(1)

44mΩ(1)

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-200V(2)

55V(1)

75V(2)

100V(2)

150V(1)

200V(2)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-12A(1)

-31A(1)

10A(1)

18A(2)

33A(1)

42A(1)

82A(2)

98A(1)

Czas załączania

10ns(3)

11ns(1)

12ns(1)

13ns(3)

14ns(4)

Czas narastania

19ns(2)

34ns(1)

35ns(1)

43ns(2)

55ns(2)

64ns(2)

66ns(1)

100ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

81ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

5.5ns(2)

24ns(1)

35ns(1)

37ns(1)

38ns(2)

48ns(1)

50ns(1)

63ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(12)

Obudowa

D2PAK(2)

TO220AB(8)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(12)

Price

-