• 30ns(x)
• 33ns(x)
• 39ns(x)
• 61ns(x)
• 68ns(x)
• 92ns(x)
• 150ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(5)

MOSFET z kanałem P(6)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Tranzystory z kanałem P THT(6)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(7)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (5)

P-MOSFET (6)

Montaż

SMD(1)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(7)

Moc rozpraszana (W)

50W(1)

68W(1)

110W(1)

125W(1)

140W(1)

170W(1)

180W(1)

190W(1)

200W(2)

330W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

24nC(1)

42nC(1)

44nC(2)

47.3nC(1)

86.6nC(1)

120nC(2)

150nC(1)

160nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(11)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.4Ω(1)

0.5Ω(2)

3Ω(1)

7.8mΩ(1)

12mΩ(1)

20mΩ(2)

44mΩ(1)

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(4)

-200V(2)

60V(1)

75V(1)

100V(1)

500V(2)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-19A(1)

-31A(1)

-74A(2)

1.6A(1)

8.7A(1)

33A(1)

81A(1)

130A(1)

Czas załączania

8ns(1)

11ns(2)

13ns(1)

14ns(3)

16ns(1)

17ns(1)

18ns(2)

Czas narastania

8.6ns(1)

35ns(1)

43ns(2)

47ns(1)

55ns(1)

66ns(1)

99ns(2)

140ns(1)

150ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

81ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

16ns(1)

35ns(1)

38ns(2)

41ns(1)

44ns(1)

63ns(1)

96ns(2)

120ns(1)

140ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(11)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(8)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Price

-