• 34ns(x)
• 38ns(x)
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Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(5)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(7)

Tranzystory z kanałem P THT(5)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(5)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

P-MOSFET (5)

Montaż

SMD(2)

THT(11)

Technologia

HEXFET®(8)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

74W(1)

110W(1)

125W(2)

150W(1)

170W(1)

200W(4)

280W(1)

370W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

38nC(1)

61nC(1)

63nC(2)

66nC(1)

72nC(1)

86.6nC(1)

120nC(3)

150nC(1)

160nC(1)

360nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(13)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.29Ω(1)

0.55Ω(2)

1.5Ω(1)

2.0mΩ(1)

3.7mΩ(1)

4mΩ(1)

12mΩ(1)

20mΩ(2)

60mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-100V(2)

-150V(1)

40V(1)

60V(1)

100V(3)

400V(2)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-13A(1)

-15A(1)

-40A(1)

-74A(2)

2.9A(1)

6.3A(1)

10A(1)

20A(1)

81A(1)

162A(1)

180A(1)

290A(1)

Czas załączania

10ns(1)

11ns(1)

14ns(3)

16ns(2)

17ns(2)

18ns(2)

25ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

15ns(1)

27ns(2)

36ns(1)

44ns(1)

67ns(1)

73ns(1)

86ns(1)

99ns(2)

140ns(1)

190ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

81ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

14ns(1)

24ns(2)

33ns(1)

37ns(1)

43ns(1)

57ns(1)

81ns(1)

88ns(1)

96ns(2)

120ns(1)

260ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(13)

Obudowa

D2PAK(2)

TO220AB(8)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(12)

Tuba(1)

Price

-