• 16ns(x)
• 17ns/32ns(N/P)(x)
• 40ns(x)
• 47ns(x)
• 50ns(x)
• 58ns(x)
• 84ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(10)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(10)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(7)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (10)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(1)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(7)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

50W(1)

74W(1)

160W(3)

190W(1)

200W(2)

280W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

22/23nC(1)

24nC(1)

38nC(1)

73.3nC(1)

86.7nC(1)

106.7nC(1)

110nC(2)

140nC(1)

151nC(1)

210nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(10)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.14Ω(1)

0.27Ω(1)

1.5Ω(1)

3Ω(1)

4.8mΩ(1)

13mΩ(1)

23mΩ(1)

29/58mΩ(1)

36mΩ(3)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

75V(1)

100V(4)

150V(1)

250V(1)

500V(3)

Prąd drenu (A)

1.6A(1)

2.9A(1)

6.5/-4.9A(1)

13A(1)

23A(1)

30A(2)

42A(1)

57A(1)

82A(1)

171A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

8.2ns(1)

8ns(1)

11ns(3)

12ns(1)

13ns(1)

15ns(1)

18ns(1)

27ns(1)

Czas narastania

8.6ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

16ns(1)

56ns(3)

58ns(1)

59ns(1)

63ns(1)

64ns(1)

119ns(1)

Czas wyłączania

26ns/34ns(N/P)(1)

33ns(1)

42ns(1)

45ns(4)

47ns(1)

49ns(1)

74ns(1)

110ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(11)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(5)

TO247AC(5)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Price

-